常见真空名词术语大全
1.一般术语
1.1 标准环境条件 standard ambient condition: 温度为20℃,相对湿度为65%,大气压为:101325Pa=1013.25mbar=760Torr.
1.2 气体的标准状态 standard reference conditions for gases:温度为0℃,压力为:101325Pa.
1.3 压力(压强)p pressure:气体分子从某一假想平面通过时,沿该平面的正法线方向的动量改变率,除以该平面面积或气体分子作用于其容器壁表面上的力的法向分量,除以该表面面积.注:"压力"这一术语只适用于气体处于静止状态的压力或稳定流动时的静态压力.
1.4 帕斯卡Pa pascal:国际单位制压力单位,1Pa=1N/m2.
1.5 托Torr torr:压力单位,1Torr=1/760atm.
1.6 标准大气压atm standard atmosphere:压力单位,1atm=101325Pa.
1.7 毫巴mbar millibar:压力单位,1mbar=102Pa.
1.8 分压力 partial pressure:混合气体中某一组分的压力.
1.9 全压力 total pressure:混合气体中所有组分压力的总和.
1.10 真空 vacuum:在指定空间内,低于环境大气压力的气体状态.
1.11 真空度 degree of vacuum:表示真空状态下气体的稀薄程度,通常用压力值来表示.
1.12 真空区域 ranges of vacuum:真空区域大致划分如下:
真空区域 压 力
Pa Torr
低 真 空 105～102 760～1
中 真 空 102～10-1 1～10-3
高 真 空 10-1～10-5 10-3～10-7
超高真空 〈10-5 〈10-7
1.13 气体 gas:不受分子间相互作用力的约束且能自由地占据任意空间的物质.汪:在真空技术中,"气体"一词不严格地应用于非可凝气体和蒸汽.
1.14 非可凝气体 non-condensable gas:在临界温度以上的气体,即单纯增加压力不能使其液化的气体.
1.15 蒸汽vapor:在临界温度以下的气体,即单纯增加压力能使其液化的气体.
1.16 饱和蒸汽压saturation vapor pressure:在给定温度下,某种物质的蒸汽与其凝聚相处于相 平衡状态下的该种物质的蒸汽压力.
1.17 饱和度degree of saturation:蒸汽压对其饱和蒸汽压之比.
1.18 饱和蒸汽saturated vapor:在给定温度下,压力等于其饱和蒸汽压的蒸汽.
1.19 未饱和蒸汽unsaturated vapor:+给定温度下,压力小于其饱和蒸汽压的蒸汽.
1.20 分子数密度n,m-3 number density of molecules:在某瞬时,气体中某点周围体积内的分 子数,除以该体积.
1.21 平均自由程ι,λ,m mean free path:一个分子与其它气体分子每连续二次碰撞走过的路程,叫自由程.相当多的不同自由程的平均值,叫平均自由程.
1.22 碰撞率ψ collision rate:在给定的时间间隔内,一个分子(或其它规定粒子)相对于其它气体分子(或其它规定粒子)运动,受到的平均碰撞次数,除以该时间.这个平均碰撞次数是应在足够多的分子数和足够长的时间间隔下取得.
1.23 体积碰撞率χ volume collision rate:在给定时间间隔内,在围绕规定一点的空间范围内气体分子间的平均碰撞次数,除以该时间和该空间范围体积.所取时间间隔和体积不应太小.
1.24 气体量G quantity of gas:处于平衡状态的理想气体所占有的体积同其压力的乘积.此值必 须注明气体温度或换算成20℃时的数值.注:气体量是指该量气体所占体积内气体内禀能量(或位能)的2/3.
1.25 气体的扩散 diffusion of gas:气体由于浓度梯度而在另一种介质中的运动.介质可以是另一种气体(这种情况下的扩散称之为互扩散)或者是可凝聚物质.
1.26 扩散系数D diffusion coefficient; diffusivity:通过单位面积的质量流率的绝对值同该单位面积的法向浓度梯度之比.
1.27 粘滞流 viscous flow:气体分子的平均自由程远小于导管最小截面尺寸的流态.因此,流 动取决于气体的粘滞性,粘滞流可以是层流或滞流.
1.28 粘滞系数η viscous factor:在气流速度梯度方向单位面积上的切向力与速度梯度之比.
1.29 泊肖叶流 poiseuille flow:流过圆截面长导管的层流粘滞流.
1.30 中间流 intermediate flow:在层流和分子流之间状态下气体通过导管的流动.
1.31 分子流 molecular flow:气体分子的平均自由程远大于导管截面最大尺寸的流态.
1.32 克努曾数 number of knudsen:气体分子的平均自由程与导管直径之比.
1.33 分子泻流 molecular effusion; effusive flow:气体流过薄壁小孔,其分子的平均自由程较小孔尺寸大得多的情况时的流动状态.
1.34 流逸 transpiration:由压力差引起的气体通过多孔物体的流动.
1.35 热流逸 thermal transpiration:在分子流状态下,两个连通容器由于温度不同引起了气体流动,当气体传输达到平衡时,两个容器之间产生压力梯度的现象.
1.36 分子流率qN molecular flow rate; molecular flux:在给定时间间隔内,从给定方向穿过表面的分子数与从相反方向穿过该表面那些分子数之差,除以该时间.
1.37 分子流率密度 molecular flow rate density; density of molecular flux:分子流率除以表面面积.
1.38 质量流率qm mass flow rare:在给定时间间隔内通过某一截面的气体质量,除以该时间.
1.39 流量qG throughput of gas:在给定时间间隔内通过某一截面的气体量除以该时间.
1.40 体积流率qV volume flow rate:在给定温度,压力和给定时间间隔通过某截面的气体体积,除以该时间.
1.41 摩尔流率qυ molar flow rate:在给定时间间隔内通过给定截面的气体的摩尔数,除以该时间.
1.42 麦克斯韦速度分布 maxwellian velocity distribution:由麦克斯韦-波尔兹曼速度分布函数确定的一种速度分布.即气体分子在一定温度下处于平衡态和到器壁的距离大于分子平均自由程时
的速度分布.
1.43 传输几率Pc transmission probability:无规律地进入导管入口的分子通过出口的几率.
1.44 分子流导CN,UN molecular conductance:气体通过管的两规定截面或孔流动的分子流导
为:其分子流率与管的两截面或孔的两侧的平均分子数密度差之比.
1.45 流导C,U conductance:在等温条件下,气体通过导管或孔流动时,其流量与导管的两规定截面或孔的两侧的平均压力差之比.
1.46 固有流导Ci,Ui intrinsic conductance:在容器中麦克斯韦速度分布占优势的条件下,连接这样两个容器的导管(或小孔)的流导.在分子流条件下,它等于入口流导与传输几率之积.
1.47 流阻W resistance:流导的倒数.
1.48 吸附 sorption:固体或液体(吸附剂)对气体或蒸汽(吸附质)的捕集现象.
1.49 表面吸附 adsorption:气体或蒸汽(吸附质)存留在固体或液体(吸附剂)表面上的吸附现象.
1.50 物理吸附physisorption:由于物理作用的吸附现象.
1.51 化学吸附 chemisorption:由于化学作用的吸附现象.
1.52 吸收absorption:气体或蒸汽(吸附质)扩散进入到固体或液体(吸附剂)内部的现象.
1.53 适应系数α accommodation factor:入射到某一表面的粒子和该表面实际交换的平均能量与粒子在该表面上达到完全的热平衡条件所应当交换的平均能量之比.
1.54 入射率υ impingement rate:在给定时间间隔内,入射到表面的分子数,除以该时间和该表面面积.
1.55 凝结率condensation rate:在给定时间间隔内凝结在某一表面积上的分子数(或物质量或物质质量)除以该时间和该表面面积.
1.56 粘着率 sticking rate:在给定时间间隔内表面上吸附的分子数,除以该时间和该表面面积.
1.57 粘着几率Ps sticking probability:粘着率与入射率之比.
1.58 滞留时间τ residence time:分子在表面上以吸附状态被约束的平均时间.
1.59 迁移 migration:分子在表面上的移动.
1.60 解吸 desorption:被材料吸附的气体或蒸汽的释放现象.释放可以是自然的,也可用物理方法加速.
1.61 去气 degassing:气体从材料中人为的解吸.
1.62 放气 outgassing:气体从材料中自然的解吸.
1.63 解吸或放气或去气速率qGU desorption or outgassing or degassing rate:在给定时间间隔内,从材料中解吸(或放气或去气)的气体流量(或分子流率),除以该时间和该表面面积.
1.64 蒸发率 evaporation rate:在给定时间间隔内从表面上蒸发的分子数(或物质量或物质质量) 除以该时间和该表面面积.
1.65 渗透 permeation:气体通过固体阻挡层的现象.该现象包括气体通过固体的扩散,也可以包括其它的表面现象.
1.66 渗透率φ permeability:在稳定流动的条件下,气体通过阻挡层(如器壁)的流量除以阻挡层两侧压力函数的量,该函数形式取决于实际渗透所涉及的物理过程.
1.67 渗透系数P permeability coefficient:渗透率与阻挡层厚度之积除以渗透表面积.

2.真空泵及有关术语
2.1 真空泵 vacuum pumps
产生,改善和(或)维持真空的装置.基本上分为气体传输泵和气体捕集泵两种类型.
2.1.1 容积真空泵 positive displacement pump:容积真空泵是利用泵腔容积的周期变化来完成
吸气和排气的装置.气体在排出前被压缩.这种泵分为往复式及旋转式两种.
2.1.1.1 气镇真空泵 gas ballast vacuum pump:泵工作中,经气镇阀放入适量的非可凝性气体
到泵的压缩室,以降低被抽气体中可凝性蒸汽在泵内凝结程度的容积真空泵.4.1.1.6～4.1.1.10 的容积真空泵均可装气镇装置.
2.1.1.2 油封(液封)真空泵oil sealed (liquid-sealed) vacuum pump:利用油类密封各运动部件间的间隙和减少压缩室有害空间的旋转容积真空泵.
2.1.1.3 干封真空泵 dry-sealed vacuum pump:不用油类(或液体)密封的容积真空泵.
2.1.1.4 往复真空泵 piston vacuum pump:利用泵腔内活塞往复运动,将气体压缩并排出的容
积真空泵.
2.1.1.5 液环真空泵 liquid ring vacuum pump:带有多叶片的转子偏心装在泵壳内,当它旋转时, 把液体(通常为水)抛向泵壳并形成与泵壳同心的液环,液环同转子叶片形成了容积周期变化的
旋转容积真空泵.
2.1.1.6 旋片真空泵 sliding vane rotary vacuum pump:转子偏心的装在泵壳内并同泵壳内表面固定面相切,在转子内装有二个(或二个以上)旋片,当转子旋转时滑片能沿其径向槽往复滑动 .
且与泵壳内壁始终接触,将泵腔分为几个可变容积的旋转容积真空泵.
2.1.1.7 定片真空泵 rotary piston vacuum pump:在泵壳内装有一个与泵壳内壁相接触的偏心转子,泵壳上装有一片始终与转子表面接触的径向滑片,当转子旋转时滑片上,下滑动将泵腔分成两个可变容积的旋转容积真空泵.
2.1.1.8 滑阀真空泵 rotary plunger vacuum pump:在偏心转子外有一滑阀环,转子旋转时带动滑阀环沿泵壳内壁滑动和滚动,固定在滑阀环上的滑阀杆能在装于泵壳适当位置可摆动的滑阀导轨中滑动,而把泵腔分成两个可变容积的旋转容积真空泵.
2.1.1.9 余摆线真空泵 trochoidal vacuum pump:在泵壳内,偏心装有一个余摆线型转子,它沿 泵壳内壁滑动并将泵腔分成两个可变容积的容积真空泵.
2.1.1.10 多室旋片真空泵 multi-chamber sliding vane rotary vacuum pump:在一个泵壳中并联
装有由同一电动机驱动的多个独立工作室的旋片真空泵.
2.1.1.11 罗茨真空泵 roots vacuum pump:泵内装有两个相反方向同步旋转的双叶形或多叶形转子,转子间,转子同泵壳内壁保持一定的间隙的旋转容积真空泵.
2.1.2 动量传输泵 kinetic vacuum pump:高速旋转的叶片或射流,把动量传输给气体或气体分子,使气体连续不断的从入口传输到出口的真空泵.
2.1.2.1 牵引分子泵molecular drag pump:气体分子与高速转动的转子相碰撞而获得动量,被送到出口的一种动量传输泵.
2.1.2.2 涡轮分子泵turbo molecular pump:泵内装有带槽的圆盘或带叶片的转子,它在定子对应的圆盘间旋转.转子圆周的线速度和气体分子速度是相同的量级的,泵通常在分子流条件下工
作.
2.1.2.3 喷射真空泵ejector vacuum pump:利用文丘里(venturi)效应的压力降产生的高速射流把气体输送到出中的一种动量传输泵.喷射真空泵适于粘滞流和过渡流条件下工作.
2.1.2.4 液体喷射真空泵liquid jet vacuum pump:以液体(通常为水)为工作介质的喷射真空泵.
2.1.2.5 气体喷射真空泵gas jet vacuum pump:以非可凝性气体作为工作介质的喷射真空泵.
2.1.2.6 蒸汽喷射真空泵vapor jet vacuum pump :以蒸汽(水,油,汞等蒸汽)作为工作介质的喷射真空泵.
2.1.2.7 扩散泵diffusion pump :以低压高速蒸汽流(油或汞等蒸汽)作为工作介质的气体动量传输泵.气体分子扩散到蒸汽射流中,被送到出口.在射流中气体分子密度始终是低的.这种泵适于分子流条件下工作.
2.1.2.8 自净化扩散泵self purifying diffusion pump:泵液中的易挥发杂质经专门的机构输送到出口而不回到锅炉中的一种油扩散泵.
2.1.2.9 分馏扩散泵 fractionating diffusion pump :这种泵具有分馏装置,使蒸汽压力较低的工作液蒸汽进入高真空工作的喷嘴,而蒸汽压力较高的工作液蒸汽进入低真空工作的喷嘴中的一种
多级油扩散泵.
2.1.2.10 扩散喷射泵diffusion ejector pump :有扩散泵特性的单级或多级喷嘴和具有喷射泵特性的单级或多级喷嘴组成的动量传达室输泵.
2.1.2.11 离子传输泵ion transfer pump:被电离的气体在电磁场或电场的作用下,输送到出口的一种动量传输泵.
2.1.3 捕集真空泵 entrapment vacuum pump:气体分子被吸附或凝结在泵内表面上的真空泵.
2.1.3.1 吸附泵adsorption pump:主要用具有大表面的吸附剂(如多孔物质)的物理吸附作用来抽气的捕集真空泵.
2.1.3.2 吸气剂泵 getter pump:用吸气剂以化学结合方式捕获气体的捕集真空泵.吸气剂通常是以块状或沉积新鲜薄膜形式存在的金属或合金.
2.1.3.3 升华(蒸发)泵 sublimation (evaporation)pump :一种用间断或连续方式升华(蒸发) 吸气材料以达到抽气目的的捕集真空泵.
2.1.3.4 吸气剂离子泵getter ion pump:被电离的气体通过电磁场或电场的作用吸附在有吸气材料的泵内表面上的捕集真空泵.
2.1.3.5 蒸发离子泵 evaporation ion pump :泵内被电离气体传输到以间断或连续方式升华或蒸发而覆在泵内壁的吸气材料上而被吸附的一种吸气离子泵.
2.1.3.6 溅射离子泵sputter ion pump :泵内电离的气体,被吸附在由阴极连续溅散出来的吸气材料上的吸气剂离子泵.
2.1.3.7 低温泵cryopump:利用低温表面捕集气体的真空泵.
2.2 真空泵零部件
2.2.1 泵壳 pump case:将低压力气体与大气隔开的泵的外壳.
2.2.2 入口 inlet:真空泵的吸气口.
2.2.3 出口outlet:真空泵的出口.
2.2.4 旋片(滑片,滑阀)vane; blade :在一些容积真空泵中,将泵腔分成若干部分的滑动零件.
2.2.5 排气阀discharge valve:在一些旋转容积真空泵中,从压缩室排气的自动阀.
2.2.6 气镇阀gas ballast valve:在气镇真空泵的压缩室安装的一种起气镇作用的充气阀.
2.2.7 膨胀室expansion chamber:在一些容积真空泵泵腔内,被抽气体进入逐渐增大的空间.
2.2.8 压缩室compression chamber:进入容积真空泵泵腔的气体,在排出之前被压缩,使其体积逐渐减小的的空间.
2.2.9 真空泵油 vacuum pump oil:在油封真空泵中,用来密封,冷却和润滑的液体.
2.2.10 泵液 pump fluid:喷射真空泵,扩散泵或扩散喷射泵的工作液.
2.2.11 喷嘴 nozzle:为使喷射真空泵,扩散泵或扩散喷射泵起抽气作用而对射流导向的部件.
2.2.12 喷嘴喉部nozzle throat:喷嘴的最小横截面.
2.2.13 喷嘴扩张率nozzle expansion rate:喷嘴出口面积和喷嘴喉部面积之比.
2.2.14 喷嘴间隙面积 nozzle clearance area :喷嘴出口外缘和泵壳之间最小横截面积.
2.2.15 喷嘴间隙nozzle clearance:决定喷嘴间隙面积的环的宽度.
2.2.16 射流jet:从喷射泵,扩散泵或扩散喷射泵喷嘴喷射出的工作介质流.
2.2.17 扩散器diffuser:喷射泵壁的收缩部分,喉部及扩张部分的总和.
2.2.18 扩散器喉部diffuser thoat:扩散器的最小截面部分.
2.2.19 蒸汽导管vapor tube(pipe;chimney):在蒸汽喷射泵,扩散泵或扩散喷射泵中,从锅炉到喷嘴的连接管.
2.2.20 喷嘴组件nozzle assembly:蒸汽喷射泵,扩散泵或扩散喷射泵的喷嘴与蒸汽导管的组装件(一般指可拆卸部件).
2.2.21 下裙skirt:喷嘴组件下部的扩大部分.它使返回冷凝的泵液与锅炉产生的蒸汽分开.
2.3 附件
2.3.1 阱trap:用物理或化学的方法来降低气体混合物中蒸汽压力的装置.
2.3.1.1 冷阱 cold trap:通过冷却表面凝结作用工作的阱.
2.3.1.2 吸附阱sorption trap:以吸附方式工作的阱.
2.3.1.3 离子阱ion trap:利用电离方法工作的阱.
2.3.1.4 冷冻升华阱 cryosublimation trap:用间断方式把吸气剂材料升华并沉积到阱的冷却表面上来吸附气体和凝结泵液蒸汽的阱.
2.3.2 挡板baffle:装在蒸汽喷射泵,扩散泵或扩散喷射泵入口,用以降低泵液返流和返迁移的遮挡装置(也可用冷却方式).
2.3.3 油分离器oil separator:装在真空泵出口处,用以减少以微滴形式被带走的泵油的装置.通常用于变容真空泵中.
2.3.4 油净化器oil purifier:从泵油中清除污染物的装置.
2.3.5 冷凝器condenser:用以冷凝混合气流中水蒸汽的装置.
2.4 泵按工作分类
2.4.1 主泵main pump:在真空系统中,用来获得所要求的真空度的真空泵.
2.4.2 粗抽泵roughing vacuum pump:从大气压开始降低系统的压力到另一抽气系统开始工作的真空泵.
2.4.3 前级真空泵backing vacuum pump:用以维持另一个泵的前级压力在其临界前级压力以下
的真空泵.前级泵也可以做粗抽泵使用.
2.4.4 粗(低)真空泵 roughing(low)vacuum pump:从大气开始降低容器压力的真空泵.
2.4.5 维持真空泵holding vacuum pump:在真空系统中,当气体量很小时,不能有效的利用主前级泵,为此,在真空系统中配置一种容量较小的辅助前级泵维持主泵正常工作或维持已抽空容
器所需之低压的真空泵.
2.4.6 高真空泵high vacuum pump:在高真空范围工作的主真空泵.
2.4.7 超高真空泵ultra-high vacuum pump:在超高真空范围工作的真空泵.
2.4.8 增压真空泵booster vacuum pump:装于高真空泵和前级泵之间,用来提高抽气系统在中间压力范围的抽气量或者降低对前级泵容量要求的真空泵.
2.5 真空泵特性
2.5.1 真空泵的抽气速率(体积流率)s volume flow rate of a vacuum pump:当泵装有标准试验罩并按规定条件工作时,从试验罩流过的气体流量与在试验罩上指定位置测得的平衡压力之比.简称泵的抽速.
2.5.2 真空泵的抽气量Q throughput of vacuum pump:流经泵入口的流量.
2.5.3 起动压力starting pressure:泵无损坏起动并有抽气作用的压力.
2.5.4 前级压力 backing pressure :排气压力低于一个大气压力的真空泵的出口压力.
2.5.5 临界前级压力 critical backing pressure:蒸汽喷射泵或扩散泵,扩散喷射泵所许可的最高前级压力值,超过了此值就破坏正常工作.当前级压力稍高于临界前级压力时,还不致于引起入口压力的显著增加.蒸汽流泵的临界前级压力主要决定于抽气量. 注:某些泵政党工作的破坏不会突然出现,所以临界前级压力不能准确指出.
2.5.6 最大前级压力maximum backing pressure:超过了能使泵损坏的前级压力
2.5.7 最大工作压力maximum working pressure:对应最大抽气量的入口压力.在此压力下,泵能连续工作而不恶化或损坏.
2.5.8 真空泵的极限压力ultimate pressure of a pump:泵装有标准试验罩并按规定条件工作,在不引入气体正常工作情况下,趋向稳定的最低压力.
2.5.9 压缩比compression ratio:泵对给定气体的出口压力与入口压力之比.
2.5.10 何氏系数Ho coefficient:蒸汽喷射泵,扩散泵或扩散喷射泵喷嘴间隙面积上的实际抽速与该处按分子泻流计算的理论抽速之比.
2.5.11 抽速系数speed factor:蒸汽喷射泵或扩散泵的实际抽速与泵入口处按分子泻流计算的理论抽速之比.
2.5.12 气体的反扩散back-diffusion of gas:从真空泵出口向入口与抽气作用相反方向的气体流动.
2.5.13 泵液返流back-streaming of pump fluid:泵液通过泵入口(或者附属挡板或阱)与被抽气体流动方向相反的流动.
2.5.14 返流率back-streaming rate:泵按规定条件工作时,通过泵入口单位面积的泵液质量流率.
2.5.15 返迁移back-migration:a 蒸汽喷射泵,扩散泵或扩散喷射泵的泵液分子沿表面移动进入被抽容器.B 油封真空泵的泵油分子沿表面移动进入被抽容器.
2.5.16 爆腾bumping:泵液在锅炉内由于局部过热产生的不稳定蒸发.
2.5.17 水蒸气允许量qm water vapor tolerable load:在正常环境条件下,气镇泵在连续工作时能抽除的水蒸气质量流率.
2.5.18 最大允许水蒸气入口压力maximum tolerable water vapor inlet pressure:在正常环境条件下,气镇泵在连续工作时被抽气体中水蒸气的最高入口压力.
2.5.19 蒸汽喷射泵,扩散泵或扩散喷射泵的加热时间warm-up time for a vapor jet pump or adiffusion pump or a diffusion ejector pump:锅炉中泵液的温度达到它正常工作温度所需要的时间.起始温度可以是环境温度,也可以是泵安全暴露大气的温度.
2.5.20 蒸汽喷射泵,扩散泵或扩散喷射泵的冷却时间cool-down time for a vapor jet pump or adiffusion pump or a diffusion ejector pump:泵停止加热后,锅炉中的泵液从正常工作温度降到可以安全暴露大气时的温度所需要的时间.

3.真空系统及有关术语
3.1 真空系统vacuum system 由真空容器和产生真空,测量真空,控制真空等的组件组成.
3.1.1 真空机组pump system:由产生真空,测量真空和控制真空等的组件组成.
3.1.2 有油真空机组pump system used oil :用油作工作液或用有机材料密封的真空机组.
3.1.3 无油真空机组oil free pump system:不用油作工作液和不用有机材料密封的真空机组.
3.1.4 连续处理真空设备continuous treatment vacuum plant:能将处理研究的材料或工件连续地送入到真空容器中,并且又能从真空室输出而不必中断设备连续工序的一种真空设备.
3.1.5 闸门式真空系统vacuum system with an air-lock:在不破坏真空情况下,能将工件或材料通过一个或若干个真空闸室导入或导出的一种真空系统.
3.1.6 压差真空系统differentially pumped vacuum system:通过气体节流,使互相连接的各个室分别用单独真空泵抽气以达到维持压差(压降或压力梯段)目的的一种真空系统.
3.1.7 进气系统gas admittance system:在规定的和控制的条件下,能将气体或气体混合物放入到真空系统的一种装置.
3.2 真空系统特性参量
3.2.1 抽气装置的抽速volume flow rate of a pumping unit :在抽气装置进气口测得的抽速.
3.2.2 抽气装置的抽气量throughput of a pumping unit :流经抽气装置进气口的气体流量.
3.2.3 真空系统的放气速率degassing(outgassing) throughput of a vacuum system:由真空系统所有表面解吸气体所产生的气体流量.注:在真空系统内部经常出现一种漏气假象.这种情况叫
做"虚漏".
3.2.4 真空系统的漏气速率leak throughput of a vacuum system:由于漏气渗入到真空系统中并影响真空容器中压力的气体流量.
3.2.5 真空容器的升压速率rate of pressure rise of a vacuum chamber:在温度保持不变时,抽气系统关闭后,在给定时间间隔内容器的压力升高量除以该时间隔之商.该商有可能不是恒定的.
3.2.6 极限压力ultimate pressure:泵在工作时,空载干燥的真空容器逐渐接近稳定的最低压力.
3.2.7 残余压力residual pressure:经过一定时间的抽气之后或真空过程结束之后还存在于真空容器中的气体或气体混合物(残余气体)的全压.在某些情况下残余压力等于极限压力.注:在 真空技术中,"气体"一词按广义的理解,即可适用于非冷凝性气体也可应用于蒸汽.
3.2.8 残余气体谱residual gas spectrum:真空容器中残余气体的质谱.
3.2.9 基础压力base pressure:在真空容器中可以开始实施工艺时的压力.注:在某些真空工艺中,例如表面的分析,基础压力也称作为"本底压力".
3.2.10 工作压力working pressure:在真空容器中为实施工艺所必需的压力(可能还有压力范围).
3.2.11 粗抽时间roughing time:前级真空泵或前级真空抽气装置从大气压抽至基础压力或抽至在较低压力下工作的真空泵的起动压力所需要的时间.
3.2.12 抽气时间pump-down time:将真空系统的压力从大气压降低到一定压力,例如降到基础压力所需要的时间.
3.2.13 真空系统时间常数time constant of a vacuum system:将真空容器中的压力降低到初始压力的1/e 所需要的时间.在抽速恒定时,该时间常数为容器体积除以抽气系统的抽速得出之商.
3.2.14 真空系统进气时间venting time:经过规定的装置放入的空气使真空系统(或真空容器) 内的压力由工作压力升高到较高的压力(一般到大气压)所需要的时间.如果放入的是空气,那么该时间称作为"通大气时间".
3.3 真空容器
3.3.1 真空容器;真空室vacuum chamber:根据力学计算能允许容器的压力低于环境压力的真空密封容器.
3.3.2 封离真空装置sealed vacuum device:容器被抽空之后将其封离或者以别的方法用永久性的封接将其封离的一种真空容器.例如电子管,X-射线管.
3.3.3 真空钟罩vacuum bell jar:借助于一个可拆卸的连接件,将其放置到另一个组件(一般说来是一块底板)上并同这个组件共同组成一个真空室的钟罩形组件.
3.3.4 真空容器底板vacuum base plate:真空容器底板通常位于真空设备抽气系统进气口上并包含有实施过程所必要的真空引入线.
3.3.5 真空岐管vacuum manifold:可以和两个或若干个真空容器相连可以同时进行抽气的一种真空密封分配件.
3.3.6 前级真空容器(贮气罐)backing reservoir:设置在前级真空泵和其前级真空阀之间的容器.在前级真空泵断开时,它用来容纳被抽气体和(或)平衡压力的变化.
3.3.7 真空保护层outer chamber:将一个真空容器全部或部分包围的一种真空密封容器.它用来减少漏气率和(或)降低作用于器壁 的压力.真空保护层中所存在的真空称作为"保护真空".
3.3.8 真空闸室vacuum air lock:连接在两个不同压力空间之间的真空室.它具有能与这个或那个相接的空间相适应压力的连接装置和能将物件从这个空间输送到那个空间而在这些空间中压力不发生干扰性变化的开孔(全部或部分可以关闭).一般来说这些装置和开孔用于将物件从大气送入到真空容器中或从真空容器中取出到大气中.
3.3.9 真空冷凝器;蒸汽冷凝器device for condensing vapor:内部带有冷却面,设置于真空室和抽气系统之间用于冷凝大量蒸汽的一种真空容器.通常它有一个可闭锁的冷凝液收集罐能在不中断真空过程情况下排出液体冷凝物.
3.4 真空封接和真空引入线
3.4.1 永久性真空封接permanent seal :不能以简单的方式加以制造或拆卸的一种真空连接. 例如:钎焊的真空连接,焊接的真空连接;玻璃-玻璃封接;玻璃-金属封接.
3.4.2 玻璃分级过渡封接graded seal :由具有不同热膨胀系数的各种玻璃组成的一种永久性真空封接.因此避免了在各连接元件内不希望有的大应力(所谓麦杆式封接).
3.4.3 压缩玻璃金属封接compression glass-to-metal seal:将玻璃同金属或合金熔接在一起, 并使玻璃始终处于压缩应变之下的一种永久性真空连接.
3.4.4 匹配式玻璃金属封接matched glass-to-metal seal:通过将玻璃熔接到金属或合金上所制得的密封,使金属或合金在很大的温度范围内其热膨胀系数几乎与玻璃相同的一种永久性真空连
接.
3.4.5 陶瓷金属封接ceramic-to-metal seal:将陶瓷零件的金属化表面与一个金属零件钎焊在一起的一种永久性真空连接.
3.4.6 半永久性真空封接semi-permanent seal : 用蜡,胶,漆或类似物质接合的一种真空连接.
3.4.7 可拆卸的真空封接demountable joint:用简单的方式,一般说来用机械的方法可以拆卸又可以重新组装起来的一种真空连接.
3.4.8 液体真空封接liquid seal :借助于低蒸汽压液体进行密封的一种可拆卸式真空连接.
3.4.9 熔融金属真空封接molten metal seal:用低熔点金属进行密封的一种可拆卸式真空连接. 加热金属使密封进行拆卸或组合.
3.4.10 研磨面搭接封接ground and lapped seal:由两个经研磨的表面构成的一种可拆卸式真空连接.研磨面可以是平面形状,球形或锥状,通常它们都涂以油脂.
3.4.11 真空法兰连接vacuum flange connection:在两个法兰之间用一个适宜的可变形的密封件造成一个真空密封连接的一种可拆卸式真空连接.
3.4.12 真空密封垫vacuum-tight gasket:放置于两个零件之间的一个可拆卸的真空连接件,用其进行密封的一种可变形的构件.在某些场合借助于支承架(例如垫圈密封),材料的选择要视所要求的真空范围而定,通常用弹性体或金属.
3.4.13 真空密封圈ring gasket:一种环形真空密封件.注:有各种不同截面形状的真空密封圈, 例如:"O"形密封圈 ,"V" 形密封圈," L" 形密封圈和其它型材的密封件(金属型材密封件).
3.4.14 真空平密封垫flat gasket:用扁平材料制得的一种真空密封件.
3.4.15 真空引入线feedthrough leadthrough:通过真空容器器壁使运动气体或液体,电流或电压传递或引入的一种装置.这种装置通常支承在真空容器对大气密封的法兰上.在真空中能用来做多种运动,一般说来作平动和旋转运动的传递运动的真空引入线称作为"多关节操作机."
3.4.16 真空轴密封shaft seal:用来密封轴的一种真空密封件,它能将旋转和(或)移动运动相对地传递到真空容器器壁内.
3.4.17 真空窗vacuum window:装在真空容器器壁上能使电磁辐射或微粒辐射穿透的一种装置 (例如列纳尔特窗).
3.4.18 观察窗viewing window:作为观察装置运转情况的一种真空窗.注:在某些应用场合必须对观察窗的光学性能提出一定的要求.
3.5 真空阀门
3.5.1 真空阀门的特性characteristic of vacuum valves:主要是指真空阀门外壳的对大气的真空密封性,真空阀门的流导和真空阀门的阀座漏气率.
3.5.1.1 真空阀门的流导conductance of vacuum valves:在阀门打开状态下的气体流动的流导. 注:在样本中,真空阀门的流导常常以"当量管长度"列出,这里设管的名义口径与阀的名义口径
相同.
3.5.1.2 真空阀门的阀座漏气率leak rate of the vacuum seat:在关闭状态下由阀座漏入的气体流率.它取决于气体种类,压力,温度和阀门出,进气口的压差.
3.5.2 真空调节阀regulating valve:能调节由真空阀隔开的真空系统部件之间的流率的一种真空阀.
3.5.3 微调阀 micro-adjustable valve:用来微量调节进入真空系统中的气体量的真空阀.
3.5.4 充气阀charge valve:把气体充入真空系统的阀.
3.5.5 进气阀gas admittance valve:将气体放入到真空系统中的一种真空控制阀.
3.5.6 真空截止阀break valve:用来使真空系统的两个部分相隔离的一种真空阀.通常它不能当作控制阀使用.
3.5.7 前级真空阀backing valve:在前级真空管路中用来使前级真空泵和与其相连的真空泵隔离的一种真空截止阀.
3.5.8 旁通阀 by-pass valve:在旁通管路中的一种真空截止阀.
3.5.9 主真空阀main vacuum valve:用来使真空容器同主真空泵隔离的一种真空截止阀.
3.5.10 低真空阀low vacuum valve:在低真空管路中,用来使真空容器同其粗抽真空泵隔离的一种真空截止阀.
3.5.11 高真空阀high vacuum valve:符合高真空技术要求的主要在该真空区域内使用的一种真空阀.
3.5.12 超高真空阀;UHV 阀 ultra-high vacuum valve:符合超高真空技术要求的主要在该真空区域内使用的一种真空阀.超高真空阀的阀座和密封垫通常由金属制成,可以进行烘烤.
3.5.13 手动阀manually operated valve:用手开闭的阀.
3.5.14 气动阀pneumatically operated valve:用压缩气体为动力开闭的阀.
3.5.15 电磁阀electromagnetically operated valve:用电磁力为动力开闭的阀.
3.5.16 电动阀valve with electrically motorized operation:用电机开闭的阀.
3.5.17 挡板阀baffle valve:阀板沿阀座轴向移动开闭的阀.
3.5.18 翻板阀flap valve:阀板翻转一个角度开闭的阀.
3.5.19 插板阀gate valve:阀板沿阀座径向移动开闭的阀.
3.5.20 蝶阀butterfly valve:阀板绕固定轴在阀口中转动开闭的阀.
3.6 真空管路
3.6.1 粗抽管路roughing line:连接被抽容器与用于粗抽的真空泵的一种真空管路系统.
3.6.2 前级真空管路backing line:连接前级真空泵的一种真空管路系统.
3.6.3 旁通管路;By-Pass 管路 by-pass line:与真空系统管路并联装配的一种真空管路系统. 它可同时和系统管路一起工作或者可以单独工作.
3.6.4 抽气封口接头pumping stem:用于容器的抽气,在抽气结束后通常进行真空密封连接,一般来说不能拆卸的一种连接管.
3.6.5 真空限流件limiting conductance:在真空管路上,用来限制气体流经管路的一个特殊件, 通常它是指隔板或毛细管.
3.6.6 过滤器filter:真空管路中清除固体微粒并防止其落入真空泵中的装置.

4.真空计
4.1 一般术语
4.1.1 压力计pressure gauge:测量气体或蒸汽压力的仪器.
4.1.2 真空计vacuum gauge:测量低于一个大气压力的气体或蒸汽压力的仪器.注:某些常用
的真空计实际上不直接测量压力,而测量在规定条件下与压力有关的某些其它物理量.
4.1.2.1 规头(规管)gauge head:某些种类真空计的一个部件,它含有压力敏感元件并直接与真空系统连接.
4.1.2.2 裸规nude gauge :一种没有外壳的规头,其敏感元件直接插入真空系统.
4.1.2.3 真空计控制单元gauge control unit :某些种类真空计的控制单元包含电源和真空计工作需要的全部电路.
4.1.2.4 真空计指示单元gauge indicating unit :某些种类真空计的指示输出信号部件,通常以压力单位刻度.
4.2 真空计一般分类
4.2.1 压差式真空计differential vacuum gauge:测量同时存在于一个敏感元件两侧面上压力之差的一种真空计.例如这个元件为弹性膜片或可动分隔液体.
4.2.2 绝对真空计 absolute vacuum gauge:通过测定物理量本身来确定压力的一种真空计.
4.2.3 全压真空计total pressure vacuum gauge:测量混合气体全压力的一种真空计.
4.2.4 分压真空计;分压分析器partial pressure vacuum gauge; partial pressure analyser:测量混合气体组分分压力的的质谱仪式的真空计.
4.2.5 相对真空计relative vacuum gauge :通过测量与压力有关的物理量并与绝对真空计比较来确定压力的一种真空计.
4.3 真空计特性
4.3.1 真空计测量范围pressure range of vacuum gauge:在规定条件下,由真空计指示的示值误差不超过最大允许误差的压力范围.注:某些真空计测量范围与气体性质有关,在这种情况下测量压力范围是对氮气而言.
4.3.2 灵敏度系数sensitivity coefficient:对于一给定压力,真空计指示的读数变化,除以对应压力的变化.注:某些真空计灵敏度系数与气体性质有关,在这种情况下灵敏度通常指氮气而言.
4.3.3 相对灵敏度系数relative sensitivity factor:对于一给定的气体,真空计的相对灵敏度系数为:真空计对该气体的灵敏度除以在相同压力和相同工作条件下真空计对氮的灵敏度.
4.3.4 电离规系数(压力单位倒数)ionization gauge coefficient (in inverse pressure units):对 于一给定气体,电离规系数为:离子流除以电子流和对应压力的乘积,并应指出工作参数.
4.3.5 规管光电流photon current of vacuum gauge head:阴极发射的电子打在加速极上,产生软X 射线,使收集极产生光电发射,收集极上产生一个与压力无关与离子流同向的电流,该电流即称规管光电流.
4.3.6 等效氮压力equivalent nitrogen pressure :作用在真空计上某一气体的压力为纯氮所产生相同的压力读数值.
4.3.7X 射线极限值 X-ray limit:一种热阴极电离真空计的X 射线极限值为与主要由离子收集极发射的光电子产生的残余电流所引起的相同读数的纯氮压力值.
4.3.8 逆X 射线效应anti X-ray effect:阴极发射的电子打在加速极上产生软X 射线射到规管金属壁上,使其发射光电子,其中能量较大的打到收集极上,使收集极回路产生了一个与离子电流反向的电流,即逆X 射线效应.
4.3.9 布利尔斯效应blears effect:真空度较高的系统烘烤结束后,由于连接规管的管壁对有机蒸汽的吸附,直到表面饱和为止,致使规管反应压力比真实压力低,这种现象叫布利尔斯效应.
4.4 全压真空计
4.4.1 液位压力计liquid level manometer:通常为一种U 型管绝对压差计.管中的敏感元件是一种可动的隔离液体(例如汞).通过测量液位差便得到压力值.
4.4.2 弹性元件真空计elastic element vacuum gauge:压差可以通过测量弹性元件位移(直接法)或保持它原来位置需要的力(回零法)来测定,例如电感式,电容式,电阻式薄膜真空计, 布尔登(Bourdon)真空计等.
4.4.3 压缩式真空计compression gauge:已知气体体积,在待测量的压力下,按已知比例压缩 (例如通过液柱——泵的移动),于是产生较高测量的压力的一种真空计.对于满足PV-T 关系的气体,如果较高压力用液位压力计测量,这样的真空计是绝对真空计.如麦克劳真空计(Mcleodgauge)
4.4.4 压力天平pressure balance:一种绝对真空计,在其内,待测量的压力适当地加到一个精确匹配的已知横截面积活塞-气缸部件上,所产生的力与一组已知质量砝码的重力进行比较.
4.4.5 粘滞性真空计viscosity gauge :通过测量作用在两个元件表面上的粘滞力来测定压力的一种真空计.它的两个元件温度相同.一个元件处于静止,另一个相对于第一个运动.这种基于与压力有关的粘滞性的真空计,有衰减真空计(如振膜式真空计),分子牵引真空计等.
4.4.6 热传导真空计thermal conductivity vacuum gauge :通过测量保持在不同温度的两固定元件表面间热能的传递来测量压力的一种真空计.这种基于与压力有关的气体热传导性的真空计, 有皮拉尼真空计,热偶真空计,热敏真空计,双金属片真空计.
4.4.7 热分子真空计thermo-molecular gauge:通过测量气体分子打击保持在不同温度的两固定表面的净动量传输率来测定压力的一种真空计.在真空计中,气体分子选择性地作用在可动元件上.与气体分子平均自由程比较,两固定表面间的距离必须是很小的.例如:克努曾真空计(knudsen gauge),反磁悬浮热分子真空计(diamagnetic levitation thermo-molecular gauge).
4.4.8 电离真空计ionization vacuum gauge:通过测量待测气体在控制条件下,电离所产生的离子流来测定压力的一种真空计.
4.4.9 放射性电离真空计radioactive ionization gauge:通过放射源射线使气体电离所产生离子的一种电离真空计.例α 射线真空计,β 射线真空计等.
4.4.10 冷阴极电离真空计cold cathode ionization gauge:通过冷阴极放电产生离子的一种电离真空计.该计通常有磁场存在,用来延长电子行程,以增加产生的离子数.在规头内或在规头外也可以用其它方法使其启动或维持放电.
4.4.11 潘宁真空计penning gauge:带有磁铁和特定电极结构的一种冷阴极电离真空计.阴极由两个连接的平行圆盘组成.阳极通常是环形的,被安装在圆盘之间并与其平行,磁场与圆盘垂直.
4.4.12 冷阴极磁控管真空计cold cathode magnetron gauge:圆筒阴极在圆筒阳极内同轴排列的的一种冷阴极电离真空计.它的磁场与电场垂直.如果里面电极是阳极,那么这个真空计叫做"反磁控管真空计".
4.4.13 放电管指示器discharge tube indicator:从冷阴极放电(通常为射频放电)颜色和形状, 可以粗略判别气体种类和压力的一种透明管.
4.4.14 热阴极电离真空计hot cathode ionization gauge:通过加热阴极发射电子使气体电离的一种电离真空计.
4.4.15 三极管式真空计triode gauge:具有一般三极电子管结构的一种热阴极电离真空计,灯丝装在以栅极作为阳极的轴线上,板极作为离子收集极与阳极同心.
4.4.16 高压力电离(中真空)真空计high pressure (medium vacuum) ionization gauge:它的测量范围比一般三极管真空计压力量程范围向中真空范围移动了的一种热阴极电离真空计.
4.4.17B-A 型电离真空计Bayard-Alpert gauge:用装在圆筒栅极轴线上一根细的金属丝作离子收集极和栅极外面的阴极,来降低X 射线极限值的一种热阴极电离真空计.
4.4.18 调制型电离真空计modulator gauge:一种装有调制电极的B-A 型热阴极电离真空计.当改变调制极的电位时,通过测量在离子收集极上电流效应可以估算残余电流(包括任何X 射线电流)影响.
4.4.19 抑制型电离真空计suppressor gauge:通过安装在离子收集极附近的抑制电极,使离子收集极发射的二次电子返回到它自身,来降低X 射线极限值的一种热阴电离真空计.
4.4.20 分离型电离真空计extractor gauge:通过使用一个短而细的金属丝做离子收集极来降低X 射线极限值的一种热阴极电离真空计.这个收集极装在屏蔽罩内,圆筒栅极外面轴线上,因而收集了来自电离区域的离子.
4.4.21 弯注型电离真空计bent beam gauge:离子从电离区域拉出进入一个静电偏转极的一种热阴极电离真空计.
4.4.22 弹道型电离真空计 orbitron gauge :使发射电子以长的弹道轨道飞行,于是增加了每个电子所产生离子数的一种热阴极电离真空计.发射发生于圆筒离子收集极和同轴的细金属丝之间的静电场.低的电子流降低了X 射线和解吸的离子效应.
4.4.23 热阴极磁控管真空计hot cathode magnetron gauge:类似于在截止状态下工作的简单的圆柱磁控管式的一种电离真空计.在其内,用磁场来延长电子路径,以增加产生的离子数.
4.5 分压真空计(分压分析器)
4.5.1 射频质谱仪radio frequency mass spectrometer: 离子沿直线路径飞行,并在飞行中穿过一系列交替加有射频电压栅极孔被加速,进入静电场,该场仅允许射频场加速的离子达到收集极
的一种质谱仪.
4.5.2 四极质谱仪(四级滤质器)quadrupole mass spectrometer;quadrupole mass filer:离子进入四电极(通常为杆)组成的四极透镜系统,透镜上加以成临界比的射频和直流电场,使仅有一定的质荷比的离子通过四极透镜而被检测的一种质谱仪.
4.5.3 单极质谱仪momopole mass spectrometer:采用一个L 形电极和与其对称放置的单柱, 提供了象四极透镜的一个象限那样形状的一个场,离子从L 形电极角附近注入并使有一定质荷比(取决于电场)的离子通过电场而被检测的一种质谱仪.
4.5.4 双聚焦质谱仪double focusing mass spectrometer:通过径向静电场和扇形磁场的连续作用来分离离子致使在两个分析器中,离子速度分布是相反的并近似相等的一种质谱仪.
4.5.5 磁偏转质谱仪magnetic deflection mass spectrometer:加速的离子在磁场作用下,被分成不同圆弧路径的一种质谱仪.
4.5.6 余摆线聚焦质谱仪trochoidal focusing mass spectrometer:离子通过正交电磁场被分离,
根据它们的不同质荷比,按照不同的摆线路径来到不同聚焦点上的一种质谱仪.
4.5.7 回旋质谱仪omegatron mass spectrometer:由于相互垂直的射频电场和稳定磁场所产生
的回旋谐振效应,离子按照半径逐渐增大的螺旋路径被分离的一种质谱仪.
4.5.8 飞行时间质谱仪time of flight mass spectrometer:气体被脉冲调制电子束所电离,并且每一簇离子被加速趋向于向漂移空间末端的离子收集极,每簇离子达到的时间差,取决于它们的质
荷比的一种质谱仪.
4.6 真空计校准
4.6.1 标准真空计reference gauges:校准真空计时,用来作量值传递或量值参照的真空计.
4.6.2 校准系统system of calibration:校准真空计所用的真空系统.
4.6.3 校准系数K calibration coefficient:在校准系统中标准计指示的压力值与被校准计指示的压
力值之比.
4.6.4 压缩计法meleod gauge method:在等温条件下,用压缩计做标准计与被校计进行比较的
校准方法.
4.6.5 膨胀法expansion method:在等温条件下,将已知体积和压力的小容器中的永久气体膨胀到已知体积的低压大容器中,根据波义耳定律算出膨胀后的气体压力.膨胀法校准系统是静态校准系统.
4.6.6 流导法flow method:流导法即小孔法,泻流法,在等温条件和分子流条件下,使气体通过已知流导的小孔,达到动态平衡时利用小孔的流导和测得的流量计算出压力的一种校准方法.
5.检漏及有关术语
5.1 漏孔
5.1.1 漏孔leaks:在真空技术中,在压力或浓度差的作用下,使气体从壁的一侧通到另一侧的孔洞,孔隙,渗透元件或封闭器壁上的其它结构.
5.1.2 通道漏孔channel leak:可以把它理想地当做长毛细管的由一个或多个不连续通道组成的一种漏孔.
5.1.3 薄膜漏孔membrane leak:气体通过渗透穿过薄膜的一种漏孔.
5.1.4 分子漏孔molecular leak:漏孔的质量流率正比于流动气体分子质量平方根的倒数的一种漏孔.
5.1.5 粘滞漏孔vixcous leak:漏孔的质量流率正比于流动气体粘度的倒数的一种漏孔.
5.1.6 校准漏孔calibrated leak:在规定条件下,对于一种规定气体提供已知质量流率的一种漏孔.
5.1.7 标准漏孔reference leak :在规定条件下(入口压力为100kPa±5%,温度为23±7℃),漏率是已知的一种校准用的漏孔.
5.1.8 虚漏virtual leak:在系统内,由于气体或蒸汽的放出引起的压力增加.
5.1.9 漏率leak rate:在规定条件下,一种特定气体通过漏孔的流量.
5.1.10 标准空气漏率standard air leak rate:在规定的标准状态下,露点低于-25℃的空气通过一个漏孔的流量.
5.1.11 等值标准空气漏率equivalent standard air leak rate:对于低于10-7 到10-8Pa m3 s-1标准空气漏率的分子漏孔,氦(分子量4)流过这样的漏孔比空气(分子量290)更快,即氦流率对应于较小的空气漏率,在规定条件下,等值标准空气漏率为√4/29=0.37 氦漏率.
5.1.12 探索(示漏)气体;用来对真空系统进行检漏的气体.
5.2 本底
5.2.1 本底background:一般地在没有注入探索气体时,检漏仪给出的总的指示.
5.2.2 探索气体本底search gas background :由于从检漏仪壁或检漏系统放出探索气体所造成的本底.
5.2.3 漂移drift:本底比较缓慢的变化.重要参量是规定周期内测得的最大漂移.
5.2.4 噪声noise:本底比较迅速的变化.重要参量是规定周期内测得的噪声.
5.3 检漏仪
5.3.1 检漏仪leak detector:用来检测真空系统或元件漏孔的位置或漏率的仪器.
5.3.2 高频火花检漏仪H.F. spark leak detector:在玻璃系统上,用高频放电线圈所产生的电火花,能集中于漏孔处的现象来确定漏孔位置的检漏仪(通常用它对玻璃系统进行检漏).
5.3.3 卤素检漏仪halide leak detector:利用卤族元素探索气体存在时,使赤热铂电极发射正离子大大增加的原理来制做的检漏仪.
5.3.4 氦质谱检漏仪helium mass spectrometer leak detector:利用磁偏转原理制成的对于漏气体氦反应灵敏,专门用来检漏的质谱仪.
5.3.5 检漏仪的最小可检漏率minimum detectable rate of leak detector:当存在本底噪声时,将仪器调整到最佳情况下,纯探索气体通过漏孔时,检漏仪所能检出的最小漏率.
5.4 检漏
5.4.1 气泡检漏leak detection by bubbles:将空气压入被检容器,然后将其浸入水中或者对其可疑表面涂上肥皂液,观察气泡确定漏孔位置.
5.4.2 氨检漏leak detection by ammonia:将氨压入被检容器,然后通过观察覆在可疑表面上试纸或试布颜色的改变来确定漏孔位置.
5.4.3 升压检漏leak detection of rise pressure:被抽空容器与真空泵隔离后,测定随时间的增加而升高的压力值,来确定漏气率.
5.4.4 放射性同位素检漏radioactive isotope leak detection:在被检容器或零件内,装入适当半衰期的放射性同位素,利用测定从漏孔穿出的放射性同位素的放射能来确定漏孔位置.
5.4.5 荧光检漏fluorescence leak detection :将被检零件浸入荧光粉的有机溶液(三氯乙烯或四氯化碳)中,漏孔处将留有荧光粉,用紫外线照射荧光粉发光来确定漏孔位置.
6.真空镀膜技术
6.1 一般术语
6.1.1 真空镀膜vacuum coating:在处于真空下的基片上制取膜层的一种方法.
6.1.2 基片substrate:膜层承受体.
6.1.3 试验基片testing substrate:在镀膜开始,镀膜过程中或镀膜结束后用作测量和(或)试验的基片.
6.1.4 镀膜材料coating material:用来制取膜层的原材料.
6.1.5 蒸发材料evaporation material:在真空蒸发中用来蒸发的镀膜材料.
6.1.6 溅射材料sputtering material:有真空溅射中用来溅射的镀膜材料.
6.1.7 膜层材料(膜层材质)film material:组成膜层的材料.
6.1.8 蒸发速率evaporation rate:在给定时间间隔内,蒸发出来的材料量,除以该时间间隔
6.1.9 溅射速率sputtering rate:在给定时间间隔内,溅射出来的材料量,除以该时间间隔.
6.1.10 沉积速率deposition rate:在给定时间间隔内,沉积在基片上的材料量,除以该时间间隔和基片表面积.
6.1.11 镀膜角度coating angle:入射到基片上的粒子方向与被镀表面法线之间的夹角.
6.2 工艺
6.2.1 真空蒸膜vacuum evaporation coating:使镀膜材料蒸发的真空镀膜过程.
6.2.1.1 同时蒸发simultaneous evaporation:用数个蒸发器把各种蒸发材料同时蒸镀到基片上的真空蒸发.
6.2.1.2 蒸发场蒸发evaporation field evaporation:由蒸发场同时蒸发的材料到基片上进行蒸镀
的真空蒸发(此工艺应用于大面积蒸发以获得到理想的膜厚分布).
6.2.1.3 反应性真空蒸发reactive vacuum evaporation:通过与气体反应获得理想化学成分的膜层材料的真空蒸发.
6.2.1.4 蒸发器中的反应性真空蒸发reactive vacuum evaporation in evaporator:与蒸发器中各种蒸发材料反应,而获得理想化学成分膜层材料的真空蒸发.
6.2.1.5 直接加热的蒸发direct heating evaporation:蒸发材料蒸发所必须的热量是对蒸发材料(在坩埚中或不用坩埚)本身加热的蒸发.
6.2.1.6 感应加热蒸发induced heating evaporation:蒸发材料通过感应涡流加热的蒸发.
6.2.1.7 电子束蒸发electron beam evaporation:通过电子轰击使蒸发材料加热的蒸发.
6.2.1.8 激光束蒸发laser beam evaporation:通过激光束加热蒸发材料的蒸发.

6.2.1.9 间接加热的蒸发indirect heating evaporation:在加热装置(例如小舟形蒸发器,坩____埚,灯丝, 加热板,加热棒,螺旋线圈等)中使蒸发材料获得蒸发所必须的热量并通过热传导或热辐射方式传 递给蒸发材料的蒸发.
6.2.1.10 闪蒸flash evaportion:将极少量的蒸发材料间断地做瞬时的蒸发.
6.2.2 真空溅射vacuum sputtering:在真空中,惰性气体离子从靶表面上轰击出原子(分子)或原子团的过程.
6.2.2.1 反应性真空溅射 reactive vacuum sputtering:通过与气体的反应获得理想化学成分的膜层材料的真空溅射.
6.2.2.2 偏压溅射bias sputtering:在溅射过程中,将偏压施加于基片以及膜层的溅射.
6.2.2.3 直流二级溅射direct current diode sputtering:通过二个电极间的直流电压,使气体自持放电并把靶作为阴极的溅射.
6.2.2.4 非对称性交流溅射asymmtric alternate current sputtering:通过二个电极间的非对称性交流电压,使气体自持放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极.
6.2.2.5 高频二极溅射high frequency diode sputtering:通过二个电极间的高频电压获得高频放电而使靶极获得负电位的溅射.
6.2.2.6 热阴极直流溅射(三极型溅射)hot cathode direct current sputtering:借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电,气体放电所产生的离子,由在阳极和阴极(靶)之间所施加的电压加
速而轰击靶的溅射.
6.2.2.7 热阴极高频溅射(三极型溅射)hot cathode high frequency sputtering:借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电,气体放电产生的离子,在靶表面负电位的作用下加速而轰击靶的溅射.
6.2.2.8 离子束溅射ion beam sputtering:利用特殊的离子源获得的离子束使靶的溅射.
6.2.2.9 辉光放电清洗glow discharge cleaning:利用辉光放电原理,使基片以及膜层表面经受气体放电轰击的清洗过程.
6.2.3 物理气相沉积;PVD physical vapor deposition:在真空状态下,镀膜材料经蒸发或溅射等物理方法气化,沉积到基片上的一种制取膜层的方法.
6.2.4 化学气相沉积;CVD chemical vapor deposition:一定化学配比的反应气体,在特定激活条件下(通常是一定高的温度),通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的
一种方法.
6.2.5 磁控溅射magnetron sputtering:借助于靶表面上形成的正交电磁场,把二次电子束缚在靶表面特定区域,来增强电离效率,增加离子密度和能量,因而可在低电压,大电流下取得很高溅射速率.
6.2.6 等离子体化学气相沉积;PCVD plasma chemistry vapor deposition:通过放电产生的等离子体促进气相化学反应,在低温下,在基片上制取膜层的一种方法.
6.2.7 空心阴极离子镀HCD hollow cathode discharge deposition: 利用空心阴极发射大量的电子束,使坩埚内镀膜材料蒸发并电离,在基片上的负偏压作用下,离子具有较大能量,沉积在基片表面上的一种镀膜方法.
6.2.8 电弧离子镀arc discharge deposition:以镀膜材料作为靶极,借助于触发装置,使靶表面产生弧光放电,镀膜材料在电弧作用下,产生无熔池蒸发并沉积在基片上的一种镀膜方法.
6.3 专用部件
6.3.1 镀膜室coating chamber:真空镀膜设备中实施实际镀膜过程的部件
6.3.2 蒸发器装置evaporator device:真空镀膜设备中包括蒸发器和全部为其工作所需要的装置(例如电能供给,供料和冷却装置等)在内的部件.
6.3.3 蒸发器evaporator:蒸发直接在其内进行蒸发的装置,例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板, 加热棒,螺旋线圈等等,必要时还包括蒸发材料本身.
6.3.4 直接加热式蒸发器evaporator by direct heat:蒸发材料本身被加热的蒸发器.
6.3.5 间接加热式蒸发器evaporator by indirect heat:蒸发材料通过热传导或热辐射被加热的蒸发器.
6.3.6 蒸发场evaporation field:由数个排列的蒸发器加热相同蒸发材料形成的场.
6.3.7 溅射装置sputtering device:包括靶和溅射所必要的辅助装置(例如供电装置,气体导入装置等)在内的真空溅射设备的部件.
6.3.8 靶target:用粒子轰击的面.本标准中靶的意义就是溅射装置中由溅射材料所组成的电极.
6.3.9 挡板shutter:用来在时间上和(或)空间上限制镀膜并借此能达到一定膜厚分布的装置.挡板可以是固定的也可以是活动的.
6.3.10 时控挡板timing shutter:在时间上能用来限制镀膜,因此从镀膜的开始,中断到结束都能按规定时刻进行的装置.
6.3.11 掩膜mask:用来遮盖部分基片,在空间上能限制镀膜的装置.
6.3.12 基片支架substrate holder:可直接夹持基片的装置,例如夹持装置,框架和类似的夹持器具.
6.3.13 夹紧装置clamp:在镀膜设备中用或不用基片支架支承一个基片或几个基片的装置,例如夹盘,夹鼓,球形夹罩,夹篮等.夹紧装置可以是固定的或活动的(旋转架,行星齿轮系等).
6.3.14 换向装置reversing device:在真空镀膜设备中,不打开设备能将基片,试验玻璃或掩膜放到理想位置上的装置(基片换向器,试验玻璃换向器,掩膜换向器).
6.3.15 基片加热装置substrate heating device:在真空镀膜设备中,通过加热能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置.
6.3.16 基片冷却装置substrate colding device:在真空镀膜设备中,通过冷却能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置.
6.4 真空镀膜设备
6.4.1 真空镀膜设备vacuum coating plant:在真空状态下制取膜层的设备.
6.4.1.1 真空蒸发镀膜设备vacuum evaporation coating plant:借助于蒸发进行真空镀膜的设备.
6.4.1.2 真空溅射镀膜设备vacuum sputtering coating plant:借助于真空溅射进行真空镀膜的设备.
6.4.2 连续镀膜设备continuous coating plant:被镀膜物件(单件或带材)连续地从大气压经过压力梯段进入到一个或数个镀膜室,再经过相应的压力梯段,继续离开设备的连续式镀膜设备.
6.4.3 半连续镀膜设备semi- continuous coating plant:被镀物件通过闸门送进镀膜室并从镀膜 室取出的真空镀膜设备.

7. 检漏及有关术语
7.1 漏孔
7.1.1 漏孔  leaks
在真空技术中，在压力或浓度差作用下，使气体从壁的一侧通到另一侧的孔洞、孔隙、渗透元件或一个封闭器壁上的其它结构。
7.1.2 通道漏孔  channel leak
可以把它理想地当做长毛细管的由一个或多个不连续通道组成的一种漏孔。
7.1.3 薄膜漏孔  membrane leak
气体通过渗透穿过薄膜的一种漏孔。
7.1.4  分子漏孔  molecular leak
漏孔的质量流率正比于流动气体分子质量平方根的倒数的一种漏孔。
7.1.5 粘滞漏孔 viscous leak
漏孔的质量流率正比于流动气体粘度的倒数的一种漏孔。
7.1.6 校准漏孔  calibrated leak
在规定条件下，对于一种规定气体提供已知质量流率的一种漏孔。
7.1.7  标准漏孔  referance leak
在规定条件下（入口压力为100KPa±5%，出口压力低于1kPa,温度为23oC±7oC），漏率是已知的一种校准用的漏孔。
7.1.8 虚漏  vitrual leak
在系统内，由于气体或蒸气的放出所引起的压力增加。
7.1.9 漏率 leak rates
在规定条件下，一种特定气体通过漏孔的流量。
7.1.10 标准空气漏率 standard air leak rate
在规定的标准状态下，露点低于-25oC的空气通过一个漏孔的流量。
7.1.11 等值标准空气漏率 equivalent standard air leak rate
对于低于10-7Pa•m3•s-1到10-8Pa•m3•s-1标准空气漏率的分子漏孔，氦（分子量:）流过这样的漏孔比空气（分子量29.0）更快，即氦流率对应于较小的空气漏率，在规定条件下，等值标准空气漏率为√4/29=0.37氦漏率。
7.1.12 探索（示漏）气体 search gas
用来对真空系统进行检漏的气体。
7.2 本底
7.2.1 本底 back ground
一般地在没有注入探索气体时，检漏仪给出的总的指示。
7.2.2 探索气体本底 search gas background
由于从检漏仪壁或检漏系统放出探索气体所造成的本底。
7.2.3 漂移 drift
本底比较缓慢的变化。重要参量是规定周期内测得的最大漂移。
7.2.4 噪声 noise
本底比较迅速的变化。重要参量是规定周期内测得的噪声。
7.3 检漏仪
7.3.1 检漏仪 leak detector
用来检测真空系统或元件漏孔的位置或漏率的仪器。
7.3.2 高频火花检漏仪 H.F.spark leak detector
在玻璃系统上，用高频放电线圈所产生的电火花，能集中于漏孔处的现象来确定漏孔位置的检漏仪（通常用它对玻璃系统进行检漏）。
7.3.3 卤素检漏仪 halide leak detector
利用卤族元素探索气体存在时，使赤热铂电极发射正离子大大增加的原理来制做的检漏仪。
7.3.4 氦质谱检漏仪 helium mass spectrometer leak detector
利用磁偏转原理制成的对于漏气体氦反应灵敏，专门用来检漏的质谱仪。
7.3.5 检漏仪的最小可检漏率 minimum detectable rate of leak detector
当存在本底噪声时，将仪器调整到最佳情况下，纯探索气体通过漏孔时，检漏仪所能检出的最小漏率。
7.4 检漏
7.4.1 气泡检漏 leak detection by bubbles
将空气压入被检容器，然后将其浸入水中或者对其可凝表面涂上肥皂液，观察气泡确定漏孔位置。
7.4.2 氨检漏 leak detection by ammonia
将氨压入被检容器，然后通过观察覆在可凝表面上试纸或试布颜色的改变来确定漏孔位置。
7.4.3 升压检漏 leak detection of rise pressure
被抽空容器与真空泵隔离后，测定随时间的增加而升高的压力值，来确定漏气率。
7.4.4 放射性同位素检漏 radioactive isotope leak detection
在被检容器或零件内，装入适当半衰期的放射性同位素，利用测定从漏孔穿出的放射性同位素的放射能来确定漏孔位置。
7.4.5 荧光检漏 fluorescence leak detection
将被检零件浸入荧光粉的有机溶液（三氯乙烯和四氯化碳）中，漏孔处将留有荧光粉，用紫外线照射荧光粉发光来确定漏孔位置。
8.表面分析技术
8.1 一般术语
8.1.1 试样sample :对其表面按工艺进行全部或部分研究的固体或液体.注:如果内边界层也要进行研究,那么需由适宜的制作方法制成显露的表面.
8.1.1.1 表面层surface layer:试样相对于气体,液体或固体的边界层.它包括可能存在的被吸附物或试样蒸汽层原子的总体,其与介质交界的间距不应超过在特定情况下给出的值,在数量级上小于原子间距.表面层的厚度始终受观察的交界影响,它和处理方法有关,在某些情况下应给出表面层的厚度.
8.1.1.2 真实表面true surface:冷凝物质与相邻介质之间的微观界面.
8.1.1.3 有效表面积effective surface area:进行研究时所规定的真实表面积.
8.1.1.4 宏观表面;几何表面macroscopic surface area; geometric surface area:真实表面的包封面,一般说来它是一个平面.
8.1.1.5 表面粒子密度surface particle density:一定种类的表面粒子数与有效表面面积之商.
8.1.1.6 单分子层monolayer:以一个原子或分子的厚度"完全地"覆盖真实表面的一定种类的粒子总体.
8.1.1.7 表面单分子层粒子密度monolayer density:一定种类粒子的单分子层的表面粒子密度(表面单分子层粒子密度也经常称作为单分子层的覆盖).
8.1.1.8 覆盖系数coverage ratio:相同种类的粒子表面的粒子密度除以单分子层的表面分子密度.
8.1.2 激发excitation:引起光子和粒子(例如原子,分子,离子,电子)发射(包括反射)的物理相互作用.
8.1.2.1 一次粒子primary particle:用作激发的光子或粒子(例如原子,分子,离子,电子). 注:"粒子"在特殊场合可用"离子","电子"等代替.
8.1.2.2 一次粒子通量primary particle flux:在给定时间间隔内出现在表面上的一次粒子数与该时间间隔之商.
8.1.2.3 一次粒子通量密度density of primary particle flux:气体空间中通过给定面积一次粒子的通量与该面积之商.
8.1.2.4 一次粒子负荷primary particle load:一次粒子通量与激发面之商.必须给出一次粒子的能量.
8.1.2.5 一次粒子积分负荷integral load of primary particle:一次粒子负荷在持续轰击时间上的积分.必须给出一次粒子的能量.
8.1.2.6 一次粒子的入射能量energy of the incident primary particle:一次粒子进入到表面层作用区域之前的动能.
8.1.2.7 激发体积excited volume:发生激发的试样的体积.
8.1.2.8 激发面积excited area:同时限制激发体积的宏观试样表面.
8.1.2.9 激发深度excited death:垂直于激发面积的激发体积的伸展深度.
8.1.2.10 二次粒子secondary particles:由于激发引起表面发射或反射的光子或粒子(例如原子, 分子,离子或电子).
8.1.2.11 二次粒子通量secondary particle flux:在给定时间间隔内观察到的发射的二次粒子数与该时间间隔之商.
8.1.2.12 二次粒子发射能energy of the emitted secondary particles:二次粒子从表面层作用范围发射之后的动能.
8.1.2.13 发射体积emitting volume:产生发射的这部分激发体积.
8.1.2.14 发射面积emitting area:同时限制发射体积的宏观试样表面.
8.1.2.15 发射深度emitting depth:垂直于发射面积的发射体积的伸展深度.
8.1.2.16 信息深度information depth:用作分析粒子的发射深度.信息深度至多只能与发射深度一样深.
8.1.2.17 平均信息深度mean information depth:产生(1-e-2)的86%粒子的信息深度.

8.1.3 入射角angle of incidence:入射粒子平均方向在其入射位置与宏观表面的法线之间的夹角.
8.1.4 发射角angle of emission:被观察的二次粒子发射方向在其发射位置上与宏观表面的法线之间的夹角.
8.1.5 观测角observation:表面法线方向的分析器轴与一次粒子平均方向的夹角.它表示偏振角和方向角.
8.1.6 分析表面积analyzed surface area:用来作分析的发射面积.
8.1.7 产额 yield :与激发的方法有关的二次粒子数与一次粒子数之商.在说明产额时,必须列举出关联的参数(例如:一次粒子的能量和入射角,材料和表面状态).
8.1.8 表面层微小损伤分析minimum damage surface analysis:为达到研究的目标仅使表面层稍微发生变化的分析.
8.1.9 表面层无损伤分析non-destructive surface analysis:表面层显示不出变化的分析.
8.1.10 断面深度分析 profile analysis in depth; depth profile analysis :对垂直于试样表面浓度分布的测定分析.有磨去表面层并产生新表面层和(或)对被磨去材料进行分析的断面深度分析
法及不磨去表面层进行分析的方法(例如反射离散测量).
8.1.11 可观测面积observable area:由指示仪显示的试样宏观表面发射部分.
8.1.12 可观测立体角observable solid angle :由试样一个点上发射的粒子可由分析器显示的立体角.
8.1.13 接受立体角;观测立体角angle of acceptance:由分析器所显示的二次发射立体角.
8.1.14 角分辨能力angular resolving power:接受立体角与2π 之商.
8.1.15 发光度luminosity:可观测面积与可观测立体角之积与固有发射之商.
8.1.16 二次粒子探测比detection ratio of secondary particles:所记录下来的一定种类的二次粒子数与所发射的同一类型二次粒子数之商.
8.1.17 表面分析仪的探测极限detection limit of an apparatus for surface analysis:在激发体积中化学元素的最小可指示浓度.在说明指示极限时应给出激发条件和所研究物质的种类.
8.1.18 表面层分析仪灵敏度sensitivity of an apparatus for surface analysis:所测得的一定种类的二次粒子数与一次粒子数之一商.该灵敏度为二次粒子激发系数与探测比之积.在说明灵敏度 时应给出参数(例如被研究物质的种类和状态,一次粒子的能量).
8.1.19 表面层分析仪质量分辨能力mass resolving power of an apparatus for surface analysis:
M/ M 之商.在给出质量分辨能力时,应说明M 是在何种物质上测得的, M 是如何确定的.对用作检验的已给出分辨能力的标准试样,往往需要给予命名.
8.1.20 表面层分析仪能量分辨能力energy resolving power of an apparatus for surfaceanalysis:E/ E 之商.在给出能量分辨能力时,应说明E 是在何种物质上测得的, E 是如何确定的.对用作检验的已给出分辨能力的标准试样,往往需要加以命名.能量分辨能力是通过测量行幅而确定的.
8.1.21 本底压力base pressure:在连续的激发和分析系统中并没装试样情况下,试样所在位置的最低压力.如果本底压力取决于激发和分析系统的工作,那么就应给出参数.
8.1.22 工作压力working pressure:测量试样时,在试样位置上的压力.
8.2 分析方法
8.2.1 二次离子质谱术;SIMS secondary ion mass spectroscopy:SIMS 用离子(一次离子)轰击表面,使其表面层发射出正离子和(或)负离子(二次离子)来进行质谱分析的一种表面分析法.
8.2.1.1 静态二次离子质谱术;静态SIMS static secondary ion mass spectroscopy :SIMS 满足微小破坏分析的一种二次离子质谱测定.
8.2.1.2 动态二次离子质谱术;动态SIMS dynamic secondary ion mass spectroscopy ;dynamicSIMS:能识别表面出现变化的一种二次离子质谱测定,同时应给出激发参数.
8.2.2 二次离子质谱仪;SIMS 仪secondary ion mass spectrometer; SIMS apparatus:真空仪器的一部分,它至少包括一个一次离子源,一个离子分析器(例如磁场或高频四极磁场)和一个离子检测器.
8.2.3 离子散射表面分析ion scattering spectroscopy:一种散射的一次离子能达到层的成分的表面层的化学分析法.
8.2.4 低能离子散射的表面分析;离子散射谱测定ISS low energy ion scattering spectroscopy; ISS:一次离子的能量约小于5keV 的表面散射化学分析法.
8.2.5 卢瑟福后向散射的表面分析;RBS;卢瑟福离子后向散射的表面分析;RIBS Rutherford backscattering spectroscopy; RBS; Rutherford ion backscattering spectroscopy; RIBS:离子散 射的一种表面分析.在这种分析中一次离子的能量约大于100keV.
8.2.6 离子散射谱仪ion scattering spectrometer:真空仪器的一部分,它至少包括一个离子源, 一个能量分析器和一个离子检波器.按照一次离子的不同能量,这样的光谱仪也叫ISS 仪或RBS
和RIBS 仪.
8.2.7 俄歇效应Auger process:原子或原子键中的电子,从较高能量的状态跃迁到较低能量的状态,由此释放的能量传递给另一个电子(俄歇电子)的一种弛豫过程.
8.2.8 俄歇电子谱术;AES 仪 Auger electron spectroscopy; AES:根据发射的俄歇电子能来分析表面层的成分的一种化学分析法.采用这种方法,俄歇电子是由电子轰击激发的.注:专有名称"俄歇电子谱术"只应用在本节中所阐述的方法.也有采用其它手段作为电子轰击的激发,采用别的方法固然也能激发出俄歇电子,对于这些方法只能用精确地激发机理加以说明. 
8.2.9 俄歇电子能谱仪;AES 仪Auger electron spectrometer ;AES apparatus:真空仪器的一部
分,它至少包括电子源,一个能量分析器和一个电子检测器.
8.2.10 光电子谱术photoelectron spectroscopy :用来测量由电磁辐射所释放出来的光电子和俄歇电子和一种表面层分析法.
8.2.10.1 紫外光电子谱术;UPS ultraviolet photoelectron spectroscopy; UPS:通过单色紫外辐射产生激发的一种光电子谱术.
8.2.10.2X 射线光电子谱术;X-ray photoelectron spectroscopy ; XPS:由X 射线辐射激发产生的光电子谱术.
8.2.11 光电子谱仪photoelectron spectrometer;真空仪器的一部分,它至少包含有一个光子源,一个能量分析器和一个电子检测器.
8.2.12 低能电子衍射;LEED low energy electron diffraction ;LEED:对给定能量的电子被表面(一般为凝聚且有弹性)后向散射的一种表面结构分析法,由通过表面层的晶体组织衍射电子的方向和电子束密度来分析表面结构.
8.2.13 低能电子衍射仪;LEED 仪 apparatus for low energy electron diffraction ; LEED-apparatus:真空仪器的一部分,至少包括有一个电子源和显示弹性散射电子的装置.在一次电子入射能量介于20～300eV 时,显示装置必须适用于大立体角范围(几乎为2π)的分析.
8.2.14 电子能损失谱术;ELS(也称EELS) electron energy loss spectroscopy(ELS):用于研究表面本身及其吸附物的电子结构和(或)几何结构的一种方法.采用此方法,电子以已知的脉冲受到表面的散射,于是从被散射电子的脉冲分布中,获得有关吸附物-基底-系统的结合性质和排列情况.
8.2.15 电子能损失光谱仪;ELS 仪 electron energy loss spectrometer ; ELS apparatus:真空仪器的一部分,它至少包括一个带有规定脉冲电子的电子源,一个脉冲分析器和一个电子检测器. 在源电流为1nA 时半宽 E 总约10meV,角半宽什约1.5o 的仪表可以说得上是高分辨的EL 光谱仪.只有用高难度分辨能力光谱仪才能研究震动状态.

9.真空冶金
9.1 真空冶金
9.1.1 真空冶金vacuum metallurgy:在真空下制造,处理和继续加工聚合状态金属的理论,经验和方法的总和.
9.1.2 真空精炼vacuum refinery:熔融金属或固体物料在真空下,以气相状态分离出不希望有的成分的一种处理法.
9.1.2.1 金属真空除气metal vacuum degassing:将正常状态下气体的组分抽除的一种真空精炼.
9.1.2.2 金属真空蒸馏 metal vacuum distillation :制造和回收以有色金属为主的金属或合金的一种真空精炼.蒸馏时易挥发的成分在真空下被蒸发并凝结到冷凝器上.
9.1.2.3 化学反应真空精炼chemical reaction vacuum refining :不希望有的成分通过与添加物的化学反应,与要求成分得到分离的一种真空精炼.在化学反应时,添加物同待分离成分一起形
成挥发性化合物.
9.1.2.4 真空氧化vacuum oxidation:通过加入氧化物或气态氧降低碳含量的一种化学反应真空精炼.
9.1. 2.5 真空脱碳vacuum decarbonizing :通过在熔融金属中溶解的氧与其内的碳的反应,来减少碳的一种化学反应真空精炼.
9.1.2.6 真空脱氧vacuum deoxidation:主要通过碳降低游离氧含量的一种化学反应的真空精炼.
9.1.3 熔融金属真空精炼工艺vacuum refining process for melting metal:熔融金属在真空下进行精炼的方法.也能同时进行或先后进行一些真空下其它加工过程,如炼制合金,扩散退伙,金
属渣反应.
9.1.3.1 真空钢包除气vacuum ladle degassing :把钢水包中的熔融金属经真空处理的一种真空精炼工艺(也称为BV 法).
9.1.3.2 真空钢包脱气法vacuum ladle degassing process:液态金属从钢包以液滴状态注入到真空室进行除气的一种真空精炼工艺.
9.1.3.3 真空虹吸脱气法vacuum siphon degassing process:真空精炼熔融金属(主要是在炼钢时)的一种方法.采用这种方法,贮钢桶,例如浇注包中的熔融金属通过一根浸在其中的类似于气压计的管子吸升到真空室内.由于真空室中熔融金属液面上,下发生周期变化,于是引起贮钢 桶和真空室之间熔融金属的交流.因此,在每次吸升时,新注入到真空室中的这部分熔融金属就进行除气(这种方法也称DH 法).
9.1.3.4 真空循环脱气法vacuum cycle degassing process:真空精炼熔融金属的一种方法.采用这种方法时,在钢包上部有一真空室,它有两根管子浸入到钢包之中,当一浸管中有惰性气时, 包内的熔融金属就流向真空室,于是便使金属产生循环作用(也称RH 法).
9.2 真空熔炼和真空浇注
9.2.1 电子束熔炼electron beam melting:通过电子轰击将能量供给炉料进行熔化的一种真空熔炼法.
9.2.2 真空感应熔炼vacuum induction melting :通过感应将能量供给炉料进行熔化的一种真空熔炼法.
9.2.3 真空电弧熔炼vacuum arc melting:通过电弧将能量供给炉料进行熔化的一种真空熔炼法.
9.2.4 真空等离子体熔炼vacuum plasma melting:由等离子体将能量供给炉料进行熔化的一种
真空熔炼法.
9.2.5 真空电阻熔炼vacuum resistance melting:利用炉料本身电阻或特殊加热电阻将热能供给炉料进行熔化的一种真空熔炼法.
9.2.6 真空坩埚熔炼vacuum crucible melting:炉料完全在坩埚中熔化,并通过其倾斜(倾翻式坩埚)或底孔(底部设有放液口的坩埚)浇注到铸型或锭模中的一种真空熔炼法.
9.2.7 真空凝壳熔炼vacuum skull melting:使冷却的坩埚内表面和熔融金属之间形成一层熔炼物料的凝结外壳,接着将壳层中的熔融金属浇注到铸型或锭模中的一种真空坩埚熔炼法.
9.2.8 底部真空浇注bottom vacuum pouring:真空中的一种底部放液法.它用来炼制特别精密的材料(例如用于核技术).
9.2.9 真空精密浇注vacuum precision casting:在真空下将液态金属压入到截面小形状复杂的空腔中的一种真空精密铸造(首饰制造).
9.2.10 真空压铸vacuum die casting:一种压铸法.压铸时将上部封闭带有开孔的铸型被抽空并浸入到处于真空下的熔融金属中,接着将气体放入到熔炼室中,以作用于熔融金属表面的气体压力将熔融材料压入到铸型中.
9.2.11 真空锭模熔炼vacuum ingot melting:在加热的锭模内使炉料熔化,从而铸出铸锭的一种真空熔炼.
9.2.12 真空悬浮熔炼vacuum floating melting:使炉料悬浮(例如通过在炉料中产生的高频涡流) 并使之熔化的一种真空熔炼.
9.2.13 真空重熔vacuum remelting:真空熔炼的一种.熔炼时炉料持续地熔化,以液态停留一段时间后,熔融金属获得一个凝固面,因此连续地产生出固态金属体.炉料一般都是预熔材料, 经常把它作为熔化电极使用.
9.2.14 真空区域熔炼vacuum zone melting:棒状材料的熔炼区域按一个方向移动的一种真空熔炼法.这种方法主要用于制取单晶和高纯材料.
9.2.15 真空拉单晶vacuum pulling crystal:在真空中拉单晶,通常是从过冷熔融金属中以固定的低速拉制出均匀的定向相同的晶体.
9.3 固体金属材料的真空处理和真空加工
9.3.1 电子束处理和电子束加工electron beam processing :用真空处理和真空加工的工艺方法.采用这些方法时,所必要的能量由电子束输送,这里,真空是获得电子束的必要条件.由于能把
电子束能量精确地调节并集中到工件中的限制区域,因此电子束处理和电子束加工特别适用于高精度要求的工艺中(例如精密焊接).在某些工艺方法(例如切削和钻孔)中电子束可用来代替一种机械工具.
9.3.2 等离子体热处理plasma heat treatment;使铁质材料的工件经受气体放电的一种真空热处理,气体放电时,所选择气体的离子打到工件的表面并能渗入到表面层,于是表面层在化学成分上起了变化.
9.3.3 离子蚀刻ion etching :用离子轰击除去表面层.由于各种材料溅射速率不同,这样由多种材料组成的表面层上便出现有选择性的损蚀,因此用这种方式便制得要求的外形表面.
9.3.4 真空蒸发vacuum evaporation:金属材料或金属化合物在真空下蒸发并在真空下制取金属中间产品或最终产品的方法,例如制取粉末,模制体和张臂式薄箔.
9.3.5 真空雾化vacuum atomization:制取金属粉末的一种方法.它是把感应熔化的熔融金属通过喷嘴喷入真空室,由于其溶解的气体在低压下快速膨胀,使熔融金属雾化,进而制成金属粉末.
9.3.6 真空热处理vacuum heat treatment:通过把材料或零件在真空状态下按工艺规程加热,冷却来达到预期性能的一种处理方法(如真空退火,回火,淬火等).
9.3.7 真空钎焊vacuum brazing:在真空状态下,把一组焊接件加热到填充金属熔点温度以上, 但低于基体金属熔点温度,借助于填充金属对基体金属的湿润和流动形成焊缝的一种焊接工艺 (钎焊温度因材料不同而异).
9.3.8 真空烧结vacuum sintering :在真空状态下,把金属粉末制品加热,使相邻金属粉末晶粒通过粘着和扩散作用而烧结成零件的一种方法.
9.3.9 真空加压烧结vacuum pressure sintering:把在真空状态下的粉末,通过加热和机械压力同时作用的一种烧结方法.
9.4 真空冶金设备
9.4.1 真空冶金设备vacuum metallurgy plant:由泵,元件,真空室和仪表组成,能在真空下实施一定过程或实验的工艺设备.
9.4.1.1 电子束焊接设备electron beam welding plant:借助于电子束实施焊接的一种真空冶金设备.实施焊接的工件可以处于高真空,中真空,低真空或特殊场合之中,也可以处于大气之中.
9.4.1.2 高真空电子束焊接设备high vacuum electron beam welding plant:工件处于高真空中的一种电子束焊接设备.这种高真空室在结构上也可以成为一个可放在较大工件上面的真空室.
9.4.1.3 中(低)真空电子束焊接设备medium(low)vacuum electron beam welding plant:工件处于中真空室和低真空室中的电子束焊接设备.由压力梯段维持电子束枪所需要的压差.在焊接 技术中,这种设备直到今天还经常被称作为高真空设备.常常将工作室做成凹模状,并有节奏地同电子枪作真空封密连接.
9.4.1.4 用于大气压下焊接的电子束焊接设备electron beam welding plant under atmosphere: 工件处于大气压下的一种电子束焊接设备.通过压力梯段将高真空中的电子束与大气隔开.必要 时采用保护气体对工件进行保护.
9.4.2 真空炉vacuum furnace:炉室抽空的炉子.真空炉经常按使用目的或能量供给的方式表示, 例如:真空熔炼炉,真空电弧炉.
9.4.2.1 真空热壁炉vacuum heat wall furnace:热量通过炉壁传给工件的真空炉.
9.4.2.2 负压真空热壁炉 negative pressure vacuum heat wall furnace :带有真空外壳的真空热壁炉.为减少热损失和降低对炉壁的压力,炉中包围真空室的炉壳被抽空.
9.4.2.3 真空冷壁炉vacuum cold wall furnace:热量在真空室之内直接传给工件,在热源和炉壁之间设有隔热装置的一种真空炉.
9.4.2.4 真空连续式加热炉vacuum continuity heating furnace:炉料依次通过前后相连的加热和冷却区域的一种真空炉.加热和抽空是通过闸室系统或压力梯段实现的.
9.4.2.5 真空感应炉vacuum induce furnace:由感应线圈连同坩埚组成的一种装置,它可以带有或不带安装在真空室中的倾翻装置.
9.4.3 电子枪electron gun:至少包含有一个电子源(阴极)的电子光学系统.加速阳极要么处于同一系统中(自加速),要么就是熔炼物料或工件(外加速).
9.4.3.1 自加速电子枪self acceleration electron gun:电子源和加速阳极组成同一系统的一种电子枪.
9.4.3.2 电子平面射束枪electron plane beam gun:线性阴极为伸展式或稍稍有点弧形的自加速电子枪.由线性阴极产生出扇形电子束.
9.4.3.3 电子束枪electron beam gun:电子源附近的电子束扩展相当小的一种自加速电子枪.通过电子光学方法能使管内电子束产生密集的聚焦.
9.4.3.4 外加速电子枪outer acceleration electron gun:由熔炼物料或工件构成的加速阳极的一种电子枪.
9.4.3.5 电子环射束近距离枪electron ring beam short range gun:阴极为环形的外加速电子枪.熔融物料处于电子束的中央.
9.4.3.6 压力梯段电子枪pressure gradient electron gun:在电子枪和工作室之间连接有一个或若干个压力梯段的电子枪.
9.4.4 自耗电极(熔化电极)consumable electrode:在真空熔炼时,同熔池一起形成电弧,在此工艺过程中它被熔化.
9.4.5 非自耗电极(非熔化电极)non-consumable electrode:由高熔点电导性材料组成,尽可能保持稳定的一种电极.一般情况熔池就是炉料.

真空计算公式
1,玻义尔定律 2,盖 吕萨克定律 3,查理定律
4,平均自由程 5,抽速 6,通导
7,真空抽气时间 8,维持泵选择 9,扩散泵抽速估算
10,罗茨泵的前级抽速 11,漏率 12,粗抽泵的抽速选择
13,前级泵抽速选择 14,扩散泵抽速计算公式 15,旋片真空泵的几何抽速计算公式
16,O型橡胶槽深 17,方形橡胶槽深
1,玻义尔定律
体积V,压强P,P V=常数
一定质量的气体,当温度不变时,气体的压强与气体的体积成反比.
即P1/P2=V2/V1
2,盖 吕萨克定律
当压强P不变时,一定质量的气体,其体积V与绝对温度T成正比:
V1/V2=T1/T2=常数
当压强不变时,一定质量的气体,温度每升高(或P降低)1℃,则它的体积比原来增加(或缩小)1/273.
3,查理定律
当气体的体积V保持不变,一定质量的气体,压强P与其绝对温度T成正比,即:
P1/P2=T1/T2
在一定的体积下,一定质量的气体,温度每升高(或降低)1℃,它的压强比原来增加(或减少)1/273.
4,平均自由程:
λ=(5×10-3)/P (cm)
5,抽速:
S=dv/dt (升/秒)或 S=Q/P
Q=流量(托 升/秒) P=压强(托) V=体积(升) t=时间(秒)
6,通导: C=Q/(P2-P1) (升/秒)
7,真空抽气时间:
对于从大气压到1托抽气时间计算式:
t=8V/S (经验公式)
V为体积,S为抽气速率,通常t在5~10分钟内选择.
Page 17 of 19
8,维持泵选择:
S维=S前/10
9,扩散泵抽速估算:
S=3D2 (D=直径cm)
10,罗茨泵的前级抽速:
S=(0.1~0.2)S罗 (l/s)
11,漏率:
Q漏=V(P2-P1)/(t2-t1)
Q漏-系统漏率(mmHg l/s)
V-系统容积(l)
P1-真空泵停止时系统中压强(mmHg)
P2-真空室经过时间t后达到的压强(mmHg)
t-压强从P1升到P2经过的时间(s)
12,粗抽泵的抽速选择:
S=Q1/P预 (l/s)
S=2.3V lg(Pa/P预)/t
S-机械泵有效抽速
Q1-真空系统漏气率(托 升/秒)
P预-需要达到的预真空度(托)
V-真空系统容积(升)
t-达到P预时所需要的时间
Pa-大气压值(托)
13,前级泵抽速选择:
排气口压力低于一个大气压的传输泵如扩散泵,油增压泵,罗茨泵,涡轮分子泵等,它们工作时需要前级泵来维持其前级压力低于临界值,选用的前级泵必须能将主泵的最大气体量排走,根据管路中,各截面流量恒等的原则有:
PnSg≥PgS 或
Sg≥Pgs/Pn
Sg-前级泵的有效抽速(l/s)
Pn-主泵临界前级压强(最大排气压强)(l/s)
Pg-真空室最高工作压强(托)
S-主泵工作时在Pg时的有效抽速.(l/s)
14,扩散泵抽速计算公式:
S=Q/P=(K n)/(P t)(升/秒)
式中:S-被试泵的抽气速率(l/s)
n-滴管内油柱上升格数(格)
t-油柱上升n格所需要的时间(秒)
P-在泵口附近测得的压强(托)
K-滴管系数(托 升/秒)
K=V0 (L/n) (Υ0/Υm)+Pa△Vt
其中V0-滴管和真空胶管的原始容积(升)
L-滴管刻度部分的长度(mm)
n-滴管刻度部分的格数(格)
Υ0-油的比重(克/厘米3)
Υm-汞的比重(克/厘米3)
Pa-当地大气压强(托)
△Vt-滴管的刻度上的一格的对应的容积(升/格)
15,旋片真空泵的几何抽速计算公式:
S=πZnLKv(D2-d2)/(24×104) (l/s)
式中:Z为旋片数,n为转速(转/分),L为泵腔长度,D为泵腔直径,d为转子直径(cm),Kv为容积利用系数(一般取95%).
16,O型橡胶槽深B=0.7D
D为橡胶直径,槽宽C=1.6B
17,方形橡胶槽深B=0.8A
A为方形橡胶边长,槽宽C=1.67B

　　利用热电偶的电势与加热元件的温度有关，元件的温度又与气体的热传导有关的原理来测量真空度的真空计。
　　13、电离真空计(又收热阴极电离计)
　　由筒状收集极，栅网和位于栅网中心的灯丝构成，筒状收集极在栅网外面。热阴极发射电子电离气体分子，离子被收集极收集，根据收集的离子流大小来测量气体压强的真空计。
　　14、复合真空计
　　由热偶真空计与热阴极电离真空计组成，测量范围从大气~10-5Pa。
　　15、冷阴极电离计
　　阳极筒的两端有一对阴极板，在外加磁场作用，阳极筒内形成潘宁放电产生离子，根据阴极板收集的离子流的大小来测定气体压强的真空计。
　　16、电阻真空计
  　利用加热元件, 的电阻与温度有关，元件的温度又与气体传导有关的原理，通过电桥电路来测量真空度的真空计。
　　17、麦克劳真空计(压缩式真空计)
　　将待测的气体用汞(或油)压缩到一极小体积，然后比较开管和闭管的液柱差，利用玻义尔定律直接算出气体压强的一种绝对真空计。
　　18、B-A规
　　这是一种阴极与收集极倒置的热阴极电离规。收集极是一根细丝，放在栅网中心，灯丝放在栅网外面，因而减少软X射线影响，延伸测量下限，可测超高真空。
　　19、水环真空泵
　　泵的叶轮转子旋转而产生水环。由于转子偏心旋转而使水环与叶片间容积发生周期性改变而进行抽气的机械真空泵。
　　20、往复真空泵
　　利用活塞的往复运动而进行抽气的机械真空泵。
　　21、油封机械真空泵
　　用油来保持密封的机械真空泵，可分为定片式、旋片式、滑阀式、余摆线式等。
　　22、罗茨真空泵
　　具有一对同步高速旋转的鞋底形转子的机械真空泵，此泵不可以单独抽气，前级需配油封、水环等可直排大气的真空泵。
　　23、涡轮分子真空泵
　　有一高速旋转的叶轮，当气体分子与高速旋转的涡轮叶片相碰撞时就被驱向出气口再由前级泵抽除。
　　24、油扩散真空泵
　　扩散泵喷口中喷出高速蒸汽流。在分子流条件下，气体分子不断地向蒸流中扩散，并被蒸汽带向泵出口处逐级被压缩后再由前级泵排除。
　　25、低温真空泵
　　利用20K以下的低温表面凝聚吸附气体的真空泵。
　　26、冷阱(水冷挡板)
　　置于真空容器和泵之间，用于吸附气体或捕集油蒸汽的装置。
　　27、气镇阀
　　油封机械真空泵的压缩室上开一小孔，并装上调节阀，当打开阀并调节入气, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , 量，转子转到某一位置，空气就通过此孔掺入压缩室以降低压缩比，从而使大部分蒸汽不致凝结而和掺入的气体一起被排除泵外起此作用的阀门称为气镇阀。
　　28、真空冷冻干燥
　　真空冷冻干燥，也称升华干燥。其原理是将材料冷冻，使其含有的水份变成冰块，然后在真空下使冰升华而达到干燥目的。
　　29、真空蒸镀
　　在真空环境中，将材料加热并镀到基片上称为真空蒸镀，或叫真空镀膜。
　　30、真空干燥
　　利用真空环境下沸点低的特点来干燥物品的方法。
　　31、真空系统常用名称
　　(1)主泵：在真空系统中，用于获得所需要真空度来满足特定工艺要求的真空泵，如真空镀膜机中的油扩散泵就是主泵。
　　(2)前级泵：用于维持某一真空泵前级压强低于其临界前级压强的真空泵。如罗茨泵前配置的旋片或滑阀泵就是前级泵。
　　(3)粗抽泵：从大气压下开始抽气，并将系统压力抽到另一真空泵开始工作的真空泵。如真空镀膜机中的滑阀泵，就是粗油泵。

东俊真空钎焊工作室
地址:江苏省扬州市维扬路349号
邮政编码：225000
联系人： 蔡东俊
SKYPE:jsyzcdj
联系手机：13905275926
QQ：649200691
MSN：jsyzcdj@126.com
E-mail: jsyzcdj@126.com
网 址：http://www.brazing.com.cn